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    水平砷化镓

    产品介绍

    有研总院利用自主知识产权技术,成功具备了水平砷化镓单晶生产能力,GaAs产品广泛应用于红外及高亮度红、橙、黄色发光二极管、半导体激光器领域。

    规格与参数

    产品名称

    GaAs单晶

    掺杂剂

    Si

    Zn

    载流子浓度 cm-3

    (2~50)×1017

    (2~50)×1018

    迁移率 cm2/v.s

    1000~3500

    50~100

    EPD cm-2

    <5000, <1000

    <10000

    直径 mm

    50.8±0.5, 62±0.5

    50.8±0.5

    主、次参考面长度 mm

    16±1、7±1

    厚度 µm

    (210~400)±20

    晶向

    (100)±0.5°,(100)偏(111)A(2°~15°)

    晶片表面状态

    切片,研磨片,腐蚀片,抛光片

    TTV µm

    <10

    Warp µm

    <10

    联系方式

    联系电话:(+86)10-82241143

    传        真:(+86)10-62013942

    电子邮箱:guorui-zhas@163.com

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